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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
品質(zhì)是生命,服務(wù)是宗旨

Quality is life, service is the tenet

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介電常數(shù)測試儀/介質(zhì)損耗測試儀

發(fā)布時間:  2024-08-12

產(chǎn)品型號:  

產(chǎn)品報價:  

廠商性質(zhì):  生產(chǎn)廠家

所  在  地:  北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號

產(chǎn)品特點:  我公司生產(chǎn)、銷售介電常數(shù)測試儀。如有需要請致電詳談。

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產(chǎn)品概述

頻率范圍:20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

 

GDAT-C介電常數(shù)測量儀

滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法高頻介質(zhì)損耗測試系統(tǒng)由S916測試裝置(夾具)、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件(裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成,它依據(jù)國標(biāo)GB/T 1409-2006、美標(biāo)ASTM D150以及電工委員會IEC60250的規(guī)定設(shè)計制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動測量的*解決方案。

 

1、《BH916介質(zhì)損耗裝置》(測試夾具)是測試系統(tǒng)的核心檢測部件,它由一個LCD數(shù)字顯示的微測量裝置和一對經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。通過被測材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時的Q值變化的量化,測得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質(zhì)損耗測試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品,精密的加工設(shè)計、精確的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能,克服了機(jī)械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測量誤差。

 

2、基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測試系統(tǒng)的二次儀表,其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計代表了行業(yè)的zui高成就,隨之帶來了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機(jī)界面,采用LCD液晶屏顯示各測量因子:Q值、電感L、主調(diào)電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz,頻率精度高達(dá)1×10-6。國標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來測定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε),把被測材料作為平板電容的介質(zhì),與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測試回路,以獲取zui高的測試靈敏度。因而Q表法的測試結(jié)果更真實地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡便。操作者能在任意點頻率或電容值的條件下檢測
Q值甚至tanδ,無須關(guān)注量程和換算,*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測量的理想工具。

 

3、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件(裝入GDAT),實現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計算的微處理化,tanδ 測量結(jié)果的獲得無須繁瑣的人工處理,因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測量的同一性,是人工讀值和人工計算*的。


4、一個高品質(zhì)因數(shù)(Q)的電感器是測量系統(tǒng)*的輔助工具,關(guān)乎測試的靈敏度和精度,在系統(tǒng)中它與平板電容(BH916)構(gòu)成了基于串聯(lián)諧振的測試回路。本系統(tǒng)推薦的電感器為LKI-1電感組共由9個高性能電感器組成,以適配不同的檢測頻率。

附表一,介質(zhì)損耗測試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表

BH916測試裝置                           GDAT高頻Q表

平板電容極片Φ50mm/Φ38mm可選頻率范圍20KHz-60MHz/200KHz-160MHz
間距可調(diào)范圍≥15mm頻率指示誤差3×10-5±1個字
夾具插頭間距25mm±0.01mm主電容調(diào)節(jié)范圍30-500/18-220pF
測微桿分辨率0.001mm主調(diào)電容誤差<1%或1pF
夾具損耗角正切值≦4×10-4 (1MHz)Q測試范圍2~1023

 

附表二,LKI-1電感組典型測試數(shù)據(jù)

線圈號測試頻率Q值分布電容p電感值
9100KHz989.425mH
8400KHz13811.44.87mH
7400KHz202160.99mH
61MHz19613252μH
52MHz1988.749.8μH
44.5MHz231710μH
312MHz1936.92.49μH
212MHz2296.40.508μH
125MHz
50MHz
233
211
0.90.125μH

介電常數(shù)介質(zhì)損耗(介質(zhì)損耗角)測試儀 
 
型號:GDAT-C

一.主要特點:
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 

二.主要技術(shù)特性:
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機(jī)作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點自動設(shè)定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。


三.儀器技術(shù)指標(biāo):
☆Q值測量:
a.Q值測量范圍:2~1023。              b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c.標(biāo)稱誤差
      頻率范圍:20kHz~10MHz;       固有誤差:≤5%±滿度值的2%;工作誤差:≤7%±滿度值的2%;
      頻率范圍:10MHz~60MHz;      固有誤差:≤6%±滿度值的2%;工作誤差:≤8%±滿度值的2%。
☆電感測量:
a.測量范圍:14.5nH~8.14H。
b.分    檔:分七個量程。
      0.1~1μH,    1~10μH,    10~100μH,  
      0.1~lmH,     1~10mH,     10~100mH,   100 mH~1H。
☆電容測量:
a.測量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測量見使用規(guī)則);
b.電容量調(diào)節(jié)范圍
      主調(diào)電容器:30~500pF;                準(zhǔn)  確  度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;
      注:大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則
☆振蕩頻率:
a.振蕩頻率范圍:10kHz~50MHz;
b.頻率分段(虛擬)
10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
10~60MHz
c.頻率誤差:3×10-5±1個字。
☆Q合格指示預(yù)置功能,預(yù)置范圍:5~1000。
☆儀器正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;            b.相對濕度:<80%;           c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。   
☆其他
a.消耗功率:約25W;            b.凈重:約7kg;          c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
☆ Q合格指示預(yù)置功能
預(yù)置范圍:5~1000。

四、主要配置:
a.測試主機(jī)一臺;
b.電感9只;
c.夾具一 套
附表 電感組典型測試數(shù)據(jù)

五.儀器特點:
☆接線簡單(正接法兩根線,反接可使用一根線),所有電纜線均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,測量電壓緩

升、緩降,全自動測量,結(jié)果直讀,無須換算。
☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗電壓進(jìn)行測量。正接線可測量高壓介損。
☆ 抗震性能 儀器可承受長途運輸中強(qiáng)烈震動顛簸而不會損壞。
☆ 抗干擾能力強(qiáng) 采用自動跟蹤干擾抵償電路,將矢量運算法與移相法結(jié)合,有效地消除強(qiáng)電場干擾對測量的影響,適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場試驗。

☆CVT測量 *自激法測量CVT功能,不需外加任何設(shè)備,可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線(三根電纜,不用倒線),一個測量過程(大約1分鐘),兩個zui終測量結(jié)果(C1和C2的介損及電容值)。測量過程中文顯示,能實時監(jiān)測自激電流值和試驗電壓(高壓)值。能消除引線對測試的影響,測量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

☆ 安全措施
(1)高壓保護(hù):試品短路、擊穿或高壓電流波動,能迅速切斷高壓輸出。
(2)CVT保護(hù):設(shè)定自激電壓的過流點,一旦超出設(shè)置的電流值,儀器自動退出測量,不會損壞設(shè)備。
(3)接地檢測:儀器有接地檢測功能,未接地時不能升壓測量。
(4)防誤操作:具備防誤操作設(shè)計,能判別常見接線錯誤,安全報警。
(5)防“容升”:測量大容量試品時會出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng),儀器能自動跟蹤輸出電壓,保持試驗電壓恒定。

☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點陣顯示器,在嚴(yán)冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單,操作提示各種警告信息,直觀明了,不需查閱說明書即可操作。

☆打印 儀器附有微型打印機(jī),以中文方式打印輸出測量結(jié)果及狀態(tài)。
☆RS232 儀器具有RS232接口,與計算機(jī)連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計和處理及保存。
☆可選購與計算機(jī)通信應(yīng)用程序。

 

 

介電常數(shù)GDAT-A介紹:

一、 概述

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機(jī)作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點自動設(shè)定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

二、儀器的技術(shù)指標(biāo)

  1.Q值測量

   a.Q值測量范圍:2~1023。

   b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

 c.標(biāo)稱誤差

項    目GDAT-A
頻率范圍20kHz~10MHz
固有誤差≤5%±滿度值的2%
工作誤差≤7%±滿度值的2%
頻率范圍10MHz~60MHz
固有誤差≤6%±滿度值的2%
工作誤差≤8%±滿度值的2%

 

2.電感測量范圍:14.5nH~8.14H

3.電容測量:1~ 460

項    目

GDAT-A

直接測量范圍

1~460pF

主電容調(diào)節(jié)范圍

準(zhǔn)確度

30~500pF

150pF以下±1.5pF;

150pF以上±1%

   注:大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則

 4.信號源頻率覆蓋范圍

項     目

GDAT-A

頻率范圍

10kHz~50MHz

頻率分段

(虛擬)

10~99.9999kHz

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

10~60MHz     

頻率指示誤差

3×10-5±1個字

 

 

 

5.Q合格指示預(yù)置功能

預(yù)置范圍:5~1000。

 

 6.Q表正常工作條件

 a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃

b.相對濕度:<80%; 

c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

7.其他

  a.消耗功率:約25W;  

b.凈重:約7kg;  

c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

8.產(chǎn)品配置:

a.測試主機(jī)一臺;

b.電感9只;

c.夾具一 套 

附表    電感組典型測試數(shù)據(jù)

線圈號

測試頻率

Q值

分布電容p

電感值

9

100KHz

98

9.4

25mH

8

400KHz

138

11.4

4.87mH

7

400KHz

202

16

0.99mH

6

1MHz

196

13

252μH

5

2MHz

198

8.7

49.8μH

4

4.5MHz

231

7

10μH

3

12MHz

193

6.9

2.49μH

2

12MHz

229

6.4

0.508μH

1

25MHz

50MHz

233

211

0.9

0.125μH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

型號:BDAT-B

一、主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。

二、主要可以測量電容器,互感器,變壓器,各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗( tg)和電容量( Cx)以,其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。
由于電橋內(nèi)附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器,并將副橋和檢流計與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起,所以本電橋特別適應(yīng)測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tg)及介電常數(shù)(ε)。
 橋體本身帶有5Kv/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容,測量材料介損更為方便。
橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀,外圍接線及少。
 橋體采用了多樣化的介損測量線路。

三、技術(shù)指標(biāo)
測量范圍及誤差
    在Cn=100pF    R4=3183.2(?)(即10K/π)時

   測量項目       測量范圍             測量誤差               
  電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     
 介質(zhì)損耗tg?      0~1              ±1.5%tg?x±0.0001

  在Cn=100pF      R4=318.3(?)(即1K/π)時

   測量項目       測量范圍             測量誤差               
  電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     
 介質(zhì)損耗tg?      0~0.1          ±1.5%tg?x±0.0001
Cx=R4×Cn/R3
tg?=ω?R4?C4
電容量及介損顯示精度:
    電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。
    介  損: ±0.5%tg?x±1×10-4
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出:0~5000V/50Hz
高壓電流輸出:0~10mA
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器
      電容量為100pF
tg小于5X10-5

 

QS37 型高壓電橋
1.概

QS37 型西林電橋,主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。
其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。主要可以測量電容器,互感器,變壓器,各種電工油及各種
固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tg) 和電容量( Cx)以,其測量線路采用“正接法”
即測量對地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、電位跟蹤器組成,本電橋特別適應(yīng)測量各類
絕緣油和絕緣材料的介損()及介電常數(shù)(ε)。
2.技術(shù)指標(biāo)
2.1 測量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為 20±5℃,相對濕度為 30%-80%條件下,應(yīng)滿足
下列表中的技術(shù)指示要求。
在 Cn=100pFR4=3183.2()(即 10K/π)時

測量項目測量范圍測量誤差
電容量 Cx40pF--20000pF±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tg0~1±1.5%tg x士0.0001

 

在 Cn=100pF  R4=318.3()(即 1K/π)時

測量項目測量范圍測量誤差
電容量 Cx4pF--2000pF±0.5% Cx±3pF
介質(zhì)損耗tg0~0.1±1.5%tg x士0.0001

2.2 電容量及介損顯示精度:
電容量: ±0.5%
-4介 損: ±1.5%tg  x士1 乘以10


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