頻率范圍：20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

^{GDAT-C介電常數(shù)測(cè)量?jī)x}

^{滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在}內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)由S916測(cè)試裝置（夾具）、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT）、及LKI-1型電感器組成，它依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、美標(biāo)ASTM D150以及電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）自動(dòng)測(cè)量的*解決方案。

^{1、《BH916介質(zhì)損耗裝置》（測(cè)試夾具）是測(cè)試系統(tǒng)的核心檢測(cè)部件，它由一個(gè)LCD數(shù)字顯示的微測(cè)量裝置和一對(duì)經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化的量化，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品，精密的加工設(shè)計(jì)、精確的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能，克服了機(jī)械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測(cè)量誤差。}

^{2、基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測(cè)試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計(jì)代表了行業(yè)的zui高成就，隨之帶來(lái)了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機(jī)界面，采用LCD液晶屏顯示各測(cè)量因子：Q值、電感L、主調(diào)電容器C、測(cè)試頻率F、諧振趨勢(shì)指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測(cè)試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，頻率精度高達(dá)1×10-6。國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來(lái)測(cè)定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε），把被測(cè)材料作為平板電容的介質(zhì)，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測(cè)試回路，以獲取zui高的測(cè)試靈敏度。因而Q表法的測(cè)試結(jié)果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)
Q值甚至tanδ，無(wú)須關(guān)注量程和換算，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴(lài)面板上印制的輔助表格操作的落后狀況，它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）測(cè)量的理想工具。}
 

^{3、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT），實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計(jì)算的微處理化，tanδ 測(cè)量結(jié)果的獲得無(wú)須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測(cè)量的同一性，是人工讀值和人工計(jì)算*的。}

^{4、一個(gè)高品質(zhì)因數(shù)（Q）的電感器是測(cè)量系統(tǒng)*的輔助工具，關(guān)乎測(cè)試的靈敏度和精度，在系統(tǒng)中它與平板電容（BH916）構(gòu)成了基于串聯(lián)諧振的測(cè)試回路。本系統(tǒng)推薦的電感器為L(zhǎng)KI-1電感組共由9個(gè)高性能電感器組成，以適配不同的檢測(cè)頻率。}

^{介電常數(shù)介質(zhì)損耗（介質(zhì)損耗角）測(cè)試儀 
 
型號(hào)：GDAT-C}

^{一.主要特點(diǎn)：
空洞共振腔適用于CCL/印刷線(xiàn)路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品（ 小于 10 mil） 量測(cè)值偏低,。} 

^{二.主要技術(shù)特性：
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。}

^{三.儀器技術(shù)指標(biāo)：
☆Q值測(cè)量：
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。              b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c．標(biāo)稱(chēng)誤差
      頻率范圍：20kHz～10MHz；       固有誤差：≤5％±滿(mǎn)度值的2％；工作誤差：≤7％±滿(mǎn)度值的2％；
      頻率范圍：10MHz～60MHz；      固有誤差：≤6％±滿(mǎn)度值的2％；工作誤差：≤8％±滿(mǎn)度值的2％。
☆電感測(cè)量：
a．測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H。
b．分    檔：分七個(gè)量程。
      0.1～1μH，    1～10μH，    10～100μH，  
      0.1～lmH，     1～10mH，     10～100mH，   100 mH～1H。
☆電容測(cè)量：
a．測(cè)量范圍：1～460pF（460pF以上的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則）；
b．電容量調(diào)節(jié)范圍
      主調(diào)電容器：30～500pF；                準(zhǔn)  確  度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；
      注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則
☆振蕩頻率：
a．振蕩頻率范圍：10kHz～50MHz；
b．頻率分段（虛擬）
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz
c．頻率誤差：3×10-5±1個(gè)字。
☆Q合格指示預(yù)置功能，預(yù)置范圍：5～1000。
☆儀器正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；            b．相對(duì)濕度：<80％；           c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。   
☆其他
a．消耗功率：約25W；            b．凈重：約7kg；          c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
☆ Q合格指示預(yù)置功能
預(yù)置范圍：5～1000。}

^{四、主要配置：
a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái)；
b.電感9只；
c.夾具一 套
附表 電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)}

^{五.儀器特點(diǎn)：
☆接線(xiàn)簡(jiǎn)單（正接法兩根線(xiàn)，反接可使用一根線(xiàn)），所有電纜線(xiàn)均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測(cè)量電壓緩}

^{升、緩降，全自動(dòng)測(cè)量，結(jié)果直讀，無(wú)須換算。
☆多種測(cè)量方式 可選擇正/反接線(xiàn)、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測(cè)量。正接線(xiàn)可測(cè)量高壓介損。
☆ 抗震性能 儀器可承受長(zhǎng)途運(yùn)輸中強(qiáng)烈震動(dòng)顛簸而不會(huì)損壞。
☆ 抗干擾能力強(qiáng) 采用自動(dòng)跟蹤干擾抵償電路，將矢量運(yùn)算法與移相法結(jié)合，有效地消除強(qiáng)電場(chǎng)干擾對(duì)測(cè)量的影響，適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)。}

^{☆CVT測(cè)量 *自激法測(cè)量CVT功能，不需外加任何設(shè)備，可完成不可拆頭CVT的測(cè)量。一次接線(xiàn)（三根電纜，不用倒線(xiàn)），一個(gè)測(cè)量過(guò)程（大約1分鐘），兩個(gè)zui終測(cè)量結(jié)果（C1和C2的介損及電容值）。測(cè)量過(guò)程中文顯示，能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)自激電流值和試驗(yàn)電壓（高壓）值。能消除引線(xiàn)對(duì)測(cè)試的影響，測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。}

^{☆ 安全措施
（1）高壓保護(hù)：試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng)，能迅速切斷高壓輸出。
（2）CVT保護(hù)：設(shè)定自激電壓的過(guò)流點(diǎn)，一旦超出設(shè)置的電流值，儀器自動(dòng)退出測(cè)量，不會(huì)損壞設(shè)備。
（3）接地檢測(cè)：儀器有接地檢測(cè)功能，未接地時(shí)不能升壓測(cè)量。
（4）防誤操作：具備防誤操作設(shè)計(jì)，能判別常見(jiàn)接線(xiàn)錯(cuò)誤，安全報(bào)警。
（5）防“容升”：測(cè)量大容量試品時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng)，儀器能自動(dòng)跟蹤輸出電壓，保持試驗(yàn)電壓恒定。}

^{☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點(diǎn)陣顯示器，在嚴(yán)冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單，操作提示各種警告信息，直觀明了，不需查閱說(shuō)明書(shū)即可操作。}

^{☆打印 儀器附有微型打印機(jī)，以中文方式打印輸出測(cè)量結(jié)果及狀態(tài)。
☆RS232 儀器具有RS232接口，與計(jì)算機(jī)連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)和處理及保存。
☆可選購(gòu)與計(jì)算機(jī)通信應(yīng)用程序。}

^{介電常數(shù)GDAT-A介紹：}

^{一、 概述}

^{介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。}

^{二、儀器的技術(shù)指標(biāo)}

  ^{1．Q值測(cè)量}

   ^{a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。}

   ^{b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。}

 ^{c．標(biāo)稱(chēng)誤差}

^{2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H}

^{3．電容測(cè)量：1~ 460}

   ^{注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則}

 ^{4．信號(hào)源頻率覆蓋范圍}

^{5．Q合格指示預(yù)置功能}

^{預(yù)置范圍：5～1000。}

 ^{6．Q表正常工作條件}

 ^{a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃}

^{b．相對(duì)濕度：<80％；} 

^{c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。}

^7．其他

  ^{a．消耗功率：約25W；}  

^{b．凈重：約7kg；}  

^{c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。}

^{8．產(chǎn)品配置：}

^{a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái)；}

^{b.電感9只；}

^{c.夾具一 套} 

^{附表    電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)}

^{工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀}

^{型號(hào)：BDAT-B}

^{一、主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線(xiàn)路。}

^{二、主要可以測(cè)量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗（ tg）和電容量（ Cx）以，其測(cè)量線(xiàn)路采用“正接法”即測(cè)量對(duì)地絕緣的試品。
由于電橋內(nèi)附有一個(gè)2500KV的高壓電源及一臺(tái)高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計(jì)與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，所以本電橋特別適應(yīng)測(cè)量各類(lèi)絕緣油和絕緣材料的介損（tg）及介電常數(shù)（ε）。
 橋體本身帶有5Kv/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容,測(cè)量材料介損更為方便。
橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線(xiàn)及少。
 橋體采用了多樣化的介損測(cè)量線(xiàn)路。}

^{三、技術(shù)指標(biāo)
測(cè)量范圍及誤差
    在Cn＝100pF    R4＝3183.2（?）（即10K/π）時(shí)}

   ^{測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               
  電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     
 介質(zhì)損耗tg?      0～1              ±1.5％tg?x±0.0001}

  ^{在Cn＝100pF      R4＝318.3（?）（即1K/π）時(shí)}

   ^{測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               
  電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     
 介質(zhì)損耗tg?      0～0.1          ±1.5％tg?x±0.0001
Ｃｘ＝Ｒ４×Ｃｎ／Ｒ３
tg?＝ω?Ｒ４?Ｃ４
電容量及介損顯示精度：
    電容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。
    介  損： ±0.5％tg?x±1×10-4
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出：0～5000V/50Hz
高壓電流輸出：0～10mA
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器
      電容量為100pF
tg小于5X10-5}

^{QS37 型高壓電橋
1.概
述
QS37 型西林電橋,主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。
其采用了西林電橋的經(jīng)典線(xiàn)路。主要可以測(cè)量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種
固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗（tg） 和電容量（ Cx）以，其測(cè)量線(xiàn)路采用“正接法”
即測(cè)量對(duì)地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、電位跟蹤器組成，本電橋特別適應(yīng)測(cè)量各類(lèi)
絕緣油和絕緣材料的介損（）及介電常數(shù)（ε）。
2.技術(shù)指標(biāo)
2.1 測(cè)量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為 20±5℃，相對(duì)濕度為 30％－80％條件下，應(yīng)滿(mǎn)足
下列表中的技術(shù)指示要求。
在 Cn＝100pFR4＝3183.2（）（即 10K/π）時(shí)}

^{在 Cn＝100pF  R4＝318.3（）（即 1K/π）時(shí)}

^{2.2 電容量及介損顯示精度：
電容量： ±0.5%
-4介 損： ±1.5％tg  x士1 乘以10}