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體積表面電阻率測(cè)試儀絕緣電阻的特性

來(lái)源:技術(shù)文章    更新時(shí)間:2019-10-21    瀏覽:3388次

體積表面電阻率測(cè)試儀絕緣電阻的特性

絕緣特性試驗(yàn)是檢驗(yàn)電工設(shè)備絕緣性的技術(shù)手段。絕緣缺陷從范圍看大致可分為兩類(lèi):集中性的或局部性的缺陷,如內(nèi)部的氣隙、局部的開(kāi)裂、磨損、受潮等;分布性的缺陷或整體絕緣性能的降低,如絕緣材料的整體受潮、劣化變質(zhì)等。絕緣內(nèi)部有了這兩類(lèi)缺陷,其特性都會(huì)或多或少發(fā)生變化,必須用合適的試驗(yàn)方法及測(cè)量?jī)x器,把這些變化或差異正確、靈敏地測(cè)量出來(lái),從而對(duì)絕緣狀態(tài)作出恰當(dāng)判斷。(絕緣電阻測(cè)量)絕緣材料的基本特性是絕緣電阻高。電工設(shè)備的額定電壓越高,要求絕緣電阻越高。但如果絕緣受潮、表面臟污或劣化變質(zhì),絕緣電阻都會(huì)劇烈下降;如有貫穿性裂縫或擊穿通道(見(jiàn)介質(zhì)擊穿),絕緣電阻將降到零。通常用高阻計(jì)(搖表)來(lái)測(cè)量設(shè)備的絕緣電阻。高阻計(jì)的額定電壓有 500、1000、2500、5000伏。1000伏以上電工設(shè)備用2500伏高阻計(jì),1000伏以下的用1000伏或 500伏高阻計(jì)。用高阻計(jì)測(cè)絕緣電阻是簡(jiǎn)單的檢查方法,也是預(yù)防性試驗(yàn)中道程序。絕緣電阻值與設(shè)備容量和尺寸有關(guān),不能簡(jiǎn)單規(guī)定某一數(shù)值。通常將設(shè)備的數(shù)據(jù)與出廠前數(shù)據(jù)比較,或把同一設(shè)備的每相分別測(cè)得的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,以此判定絕緣電阻是否有差異。檢驗(yàn)電工設(shè)備絕緣性能的技術(shù)手段。電工設(shè)備中的絕緣缺陷,有的是先天性的,是在制造過(guò)程中由于材料、工藝等原因潛伏下來(lái)的;有的是后天性的,是在運(yùn)行過(guò)程中由于電應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、大氣影響(如光照、潮濕、臟污影響)、溫度、化學(xué)等因素造成的。及早發(fā)現(xiàn)這些缺陷,及時(shí)進(jìn)行維護(hù)與檢修,才能保證設(shè)備安全運(yùn)行。常用的試驗(yàn)方法有絕緣電阻測(cè)量、吸收比測(cè)量、泄漏電流的測(cè)量、介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)量和局部放電測(cè)量。泄漏電流測(cè)量測(cè)量絕緣電阻的另一種方式。將大于、等于10千伏的整流高壓電源接到絕緣體上,用微安表測(cè)量流經(jīng)絕緣結(jié)構(gòu)的泄漏電流,以判斷絕緣電阻的大小。與高阻計(jì)不同的是,此種方法施加電壓較高,可以發(fā)現(xiàn)一些尚未*貫通的集中性缺陷。絕緣材料或結(jié)構(gòu)在交流電壓作用下有能量損耗。這種損耗稱(chēng)為介質(zhì)損耗。它包括電導(dǎo)損耗、極化損耗和氣隙中放電引起的損耗。在交流電壓作用下,流過(guò)介質(zhì)的電流由兩部分組成:電容電流分量;有功電流分量(圖2)。介質(zhì)損耗角正切值通常>>,δ小,tgδ也小。介質(zhì)中的功率損耗P為利用此式可求得絕緣結(jié)構(gòu)的功率損耗。式中 U與絕緣厚度有關(guān)系,與絕緣面積有關(guān)系,所以U標(biāo)志絕緣的體積;tgδ代表單位體積中的損耗,它反映材料的性質(zhì)。

絕緣特性試驗(yàn)絕緣特性試驗(yàn)

當(dāng)絕緣受潮,絕緣油或浸漬液受潮、污穢,材料劣化變質(zhì)和絕緣結(jié)構(gòu)中的氣隙有放電現(xiàn)象時(shí),tgδ就增大。有些損耗與頻率有依存關(guān)系,如極化;有些損耗與電壓有依存關(guān)系,如氣隙中的放電。如改變測(cè)量tgδ時(shí)的電壓幅值,可得到tgδ與外施電壓U的關(guān)系(圖3)。圖中曲線說(shuō)明絕緣結(jié)構(gòu)中存在氣隙放電。放電開(kāi)始時(shí)的外施電壓為Uc,從tgδ增加的陡度,可反映出老化的程度。雖然從理論上講,tgδ能顯示氣隙放電,但如氣隙放電損耗只占總損耗的極小份量,由代表單位體積損耗的tgδ來(lái)顯示氣隙放電是不靈敏的。測(cè)量介質(zhì)損失角正切值tgδ的常用儀器是西林電橋(見(jiàn)經(jīng)典交流電橋)。體積表面電阻率測(cè)試儀絕緣電阻的特性局部放電測(cè)量

通常以局部放電儀測(cè)量引起固體絕緣破壞的局部放電。這種局部放電的存在形式大致有:在電極附近的沿介質(zhì)表面的放電;層壓材料中界面間的放電;固體絕緣中空穴內(nèi)的放電;層繞絕緣中的樹(shù)枝狀放電等。這些局部放電的起因,可能是絕緣材料中存在先天性缺陷,也可能是制造工藝不完善,當(dāng)電壓施加到絕緣結(jié)構(gòu)上時(shí),缺陷部分電場(chǎng)超過(guò)臨界值。局部放電的初期階段范圍很小,損耗很小。測(cè)量絕緣電阻或介質(zhì)損耗角均難以發(fā)現(xiàn)異常。

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